Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUFA76429D3S

MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
HUFA76429D3

HUFA76429D3S Hakkında

HUFA76429D3S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ve 20A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (D-Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücülerinde ve güç yönetimi uygulamalarında yer alır. 23mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında ve 110W güç dağıtımı kapasitesi ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur. 46nC gate charge ve 1480pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sunar. Bileşen şu anda üretimi sonlandırılmış (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1480 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok