Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUFA76429D3_NL
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUFA76429D3
HUFA76429D3_NL Hakkında
HUFA76429D3_NL, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında 20A sürekli akım yeteneğine sahip olup, TO-251 (IPak) paketinde sunulmaktadır. 23mOhm maksimum RDS(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, 110W maksimum güç dağıtımı yapabilir. Güç uygulamalarında anahtar elemanı olarak kullanılan bu MOSFET, motorlar, güç kaynakları, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 4.5V ile 10V arasında sürülmesine uygun olan transistör, 46nC maksimum gate charge ile hızlı komütasyon kabiliyeti sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1480 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok