Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUFA76423D3ST

MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
HUFA76423D3

HUFA76423D3ST Hakkında

HUFA76423D3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 32mΩ (10V, 20A) düşük on-state direnci sayesinde enerji kaybını minimize eder. TO-252 (D-Pak) yüzey montaj paketinde sunulur ve -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışır. Gate charge 34nC'de 10V sürüş gerilimi, 85W maksimum güç saçılımı kapasitesi vardır. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde uygulanır. Not: Bu ürün kullanımdan kaldırılmıştır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1060 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok