Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUFA76419S3ST

MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
HUFA76419S3

HUFA76419S3ST Hakkında

HUFA76419S3ST, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajı ve 29A sürekli drenaj akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. D²Pak (TO-263) paketinde sunulan bu bileşen, 35mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 75W güç dağıtabilir. Gate yükü 28nC ve giriş kapasitanı 900pF'dir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, anahtarlamayı gerektiren endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 10V gate voltajında tam açılır ve ±16V maksimum gate voltajını tolere eder.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 29A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok