Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUFA76419D3ST
N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUFA76419D3
HUFA76419D3ST Hakkında
HUFA76419D3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Logic Level MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate geriliminde 37mΩ on-direnci (Rds On) ile düşük kayıp özellikleri sunar. Gate charge değeri 27.5nC olup hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, TO-252 (DPak) yüzey montaj paketi ile sunulmaktadır. Güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok