Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUFA76419D3S

MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
HUFA76419D3S

HUFA76419D3S Hakkında

HUFA76419D3S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source geriliminde 20A sürekli dren akımı sağlayabilir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 37mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 10V gate geriliminde 27.5nC gate yükü ve 900pF giriş kapasitansı özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir, 75W güç dağılımına kadir. Motor kontrolleri, DC-DC dönüştürücüler, güç anahtarlaması ve benzer düşük sinyalı anahtarlama devrelerinde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok