Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUFA76413D3S

MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
HUFA76413D3

HUFA76413D3S Hakkında

HUFA76413D3S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajı ve 20A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, 49mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sunar. TO-252 (DPak) paket tipi ile yüzey montajına uygun olarak tasarlanmıştır. ±16V gate voltajı aralığında çalışan bu transistör, -55°C ile 175°C arasında geniş sıcaklık işletim aralığına sahiptir. Güç dağıtım uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde, motor sürücülerinde ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 20nC gate charge ve 645pF input capacitance değerleri ile hızlı anahtarlama özellikleri sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 645 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 49mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok