Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUFA76409D3ST

MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
HUFA76409D3

HUFA76409D3ST Hakkında

HUFA76409D3ST, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim ve 18A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 63mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışır. Güç dönüştürme devreleri, motor kontrol uygulamaları, anahtarlama devreleri ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. 15nC gate charge ve 485pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. ±16V maksimum gate gerilimi ile geniş kontrol aralığı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 485 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 49W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 63mOhm @ 18A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok