Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUFA76409D3ST
N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUFA76409
HUFA76409D3ST Hakkında
HUFA76409D3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel Logic Level MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında 18A sürekli akım kapasitesine sahip olan bu bileşen, 4.5V ve 10V sürüş voltajlarında çalışmak üzere tasarlanmıştır. 63mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Surface mount TO-252 paketinde sunulan HUFA76409D3ST, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve güç kaynağı tasarımlarında kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, 49W'a kadar güç disipasyonu yapabilir. Logic level gate sürücüsü ile düşük gerilim kontrol devreleriyle doğrudan uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 485 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 49W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok