Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUFA76409D3S

MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
HUFA76409D3S

HUFA76409D3S Hakkında

HUFA76409D3S, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajında 18A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (63mΩ @ 18A, 10V) ile yüksek verimli anahtar uygulamalarında kullanılır. 4.5V ve 10V sürü voltajlarında çalışabilir. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 175°C) stabil performans gösterir. DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri ve genel anahtar uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 49W maksimum güç üreten bu MOSFET, ±16V maksimum gate-source voltajı toleransına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 485 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 49W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 63mOhm @ 18A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok