Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUFA76407D3ST

MOSFET N-CH 60V 12A TO252AA

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
HUFA76407D3

HUFA76407D3ST Hakkında

HUFA76407D3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 12A sürekli dren akımı ile çalışır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük 92mOhm on-resistance değeri sayesinde güç elektronikleri uygulamalarında tercih edilir. Motor kontrol, DC-DC konvertörler, güç yönetimi devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen ve 38W maksimum güç tüketimine sahip olan transistör, hızlı anahtarlama ve minimum ısı kaybı gerektiren uygulamalar için uygundur. Maksimum 11.3nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 92mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok