Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUFA76407D3S

MOSFET N-CH 60V 12A TO252AA

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
HUFA76407D3

HUFA76407D3S Hakkında

HUFA76407D3S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V Drain-Source gerilim (Vdss) ve 12A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 92mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kontak direnci sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketi ile tasarlanmış olup, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. 38W maksimum güç tüketim kapasitesi vardır. Gate charge değeri 11.3nC (@10V) ve input capacitance 350pF (@25V)'dir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. Bileşen obsolete durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 92mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok