Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUFA75829D3S

MOSFET N-CH 150V 18A TO252AA

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
HUFA75829D3

HUFA75829D3S Hakkında

HUFA75829D3S, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET'tir. 150V drain-source gerilim ve 18A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, 110mΩ on-dirençi ile verimli anahtarlama sağlar. Gate charge karakteristiği 70nC ile hızlı komütasyon performansı sunar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 110W güç saçabilme kapasitesine sahiptir. DC-DC konvertörler, motor sürücüleri, güç kaynaklarında ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1080 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 18A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok