Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUFA75652G3
MOSFET N-CH 100V 75A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUFA75652G3
HUFA75652G3 Hakkında
HUFA75652G3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim (Vdss) ve 75A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 8mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük kayıplar sağlar. Gate charge değeri 475nC (20V'da) olup hızlı anahtarlama işlemlerine uygundur. -55°C ile +175°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir. Motor sürücüleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Üretim tarihi nedeniyle Obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 475 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7585 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 515W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok