Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUFA75645P3

MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
HUFA75645P3

HUFA75645P3 Hakkında

HUFA75645P3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 75A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, düşük 14mOhm RDS(on) değeri sayesinde ısıl kayıpları minimize eder. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ve 310W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile güç kaynakları, DC-DC konvertörleri, motor kontrolü ve endüstriyel şarj cihazları gibi uygulamalarda tercih edilir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile çeşitli sürücü devrelerine entegrasyonu kolaydır. Not: Bu ürün obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3790 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok