Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUFA75639S3ST-F085A

MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
HUFA75639S3ST

HUFA75639S3ST-F085A Hakkında

HUFA75639S3ST-F085A, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilim ve 56A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 25mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp sağlayan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol uygulamalarında ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan komponen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilmektedir. 130nC gate yükü ve 2000pF giriş kapasitesi ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 56A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 56A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok