Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUFA75639S3ST-F085A

MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
HUFA75639S3ST

HUFA75639S3ST-F085A Hakkında

HUFA75639S3ST-F085A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 56A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılan yüksek kapasiteli bir anahtarlama elemanıdır. 25mOhm on-resistance değeri ile enerji kaybını minimize eder. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, sürücü devreleri, güç kaynakları, motor kontrol sistemleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda anahtarlama işlevini gerçekleştirir. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında ve 200W güç tüketim kapasitesi ile endüstriyel ve ticari sistemlerde kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 56A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 56A, 10V
Supplier Device Package D2PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok