Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUFA75639S3ST
56A, 100V, 0.025OHM, N-CHANNEL,
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUFA75639S3ST
HUFA75639S3ST Hakkında
HUFA75639S3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen 56A sürekli drenaj akımına sahip bir N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ile tasarlanmış bu bileşen, 0.025Ohm düşük on-dirençi sayesinde güç elektronikleri uygulamalarında tercih edilir. TO-263 D²Pak paketlemesi ile sağlanan komponent, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve güç kaynağı uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen transistör, 200W'a kadar güç dağılımı yapabilir. 130nC maksimum gate yükü ve 2000pF giriş kapasitansiyle hızlı anahtarlama işlemlerine uygun bir bileşendir. ±20V gate gerilimi ve 4V eşik gerilimi ile kontrol kolaylığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 56A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 56A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok