Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUFA75639S3S

MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
HUFA75639S3S

HUFA75639S3S Hakkında

HUFA75639S3S, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V Drain-Source gerilimi ve 56A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 25mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uyum gösterir. Anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve yük kontrolü devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. ±20V gate gerilim aralığında çalışabilir ve -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında güvenli operasyon sağlar. 200W maksimum güç dağılımı kapasitesi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 56A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 56A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok