Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUFA75637S3ST

MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
HUFA75637S3ST

HUFA75637S3ST Hakkında

HUFA75637S3ST, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltajı ve 44A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate voltajında 30mOhm (RDS On) ile düşük açılış direncine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç dönüştürücü, şarj devreleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığını destekler ve maksimum 155W güç dağıtabilir. 108nC gate şarjı ve 1700pF giriş kapasitesi ile hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 44A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 108 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 155W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 44A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok