Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUFA75637S3S

MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
HUFA75637S3S

HUFA75637S3S Hakkında

HUFA75637S3S, onsemi tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET) transistörüdür. 100V drain-source gerilim kapasitesiyle 44A sürekli drain akımı sağlayabilen bu bileşen, D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 10V gate sürme geriliminde 30mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı özellikleri sayesinde güç yönetimi uygulamalarında, anahtarlama devreleri, motor kontrol, DC-DC konvertörleri ve inverter uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. 155W maksimum güç dağıtım kapasitesi, 108nC gate yükü ve 1700pF input kapasitansi ile entegre devreler tasarımında etkinlikle uygulanabilir. Not: Bu ürün piyasada üretimi durdurulmuş (Obsolete) konumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 44A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 108 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 155W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 44A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok