Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUFA75623S3ST

MOSFET N-CH 100V 22A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
HUFA75623S3

HUFA75623S3ST Hakkında

HUFA75623S3ST, onsemi tarafından üretilen bir N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V Drain-Source gerilimi ve 22A sürekli drenaj akımına sahip bu bileşen, TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. 64mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 52nC gate charge ve 790pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Maksimum 85W güç harcaması kapasitesine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, güç elektroniği, motor kontrol, DC-DC dönüştürücü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum Gate-Source gerilimi desteği ile geniş uygulamalar için uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 64mOhm @ 22A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok