Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUFA75623S3ST
MOSFET N-CH 100V 22A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUFA75623S3
HUFA75623S3ST Hakkında
HUFA75623S3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj ve 22A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Surface Mount D2PAK (TO-263) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 64mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaybı anahtarlamayı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 85W maksimum güç dağıtabilir. Ürün statüsü Obsolete olup, arşiv uygulamalarında tercih edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 790 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 85W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 22A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok