Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUFA75617D3ST

MOSFET N-CH 100V 16A TO252AA

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
HUFA75617D3

HUFA75617D3ST Hakkında

HUFA75617D3ST, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 16A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paket ile sağlanan bu bileşen, 90mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. ±20V gate gerilimi aralığında çalışabilen transistör, -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında işletilebilir. Switch mode güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 64W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile orta güç uygulamaları için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 64W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok