Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUFA75617D3S
MOSFET N-CH 100V 16A TO252AA
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUFA75617D3S
HUFA75617D3S Hakkında
HUFA75617D3S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V Drain-Source gerilimi ve 16A sürekli drenaj akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 90mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-252 (D-Pak) paketine sahip bu transistör, güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücü ve güç kaynağı devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralıklı uygulamalara uygun kılmaktadır. 39nC gate charge ve 570pF input capacitance değerleri hızlı ve kontrollü anahtarlama işlemleri için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 64W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok