Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUFA75545P3

MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
HUFA75545P3

HUFA75545P3 Hakkında

HUFA75545P3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) bileşenidir. 80V drenaj-kaynak gerilimi ve 75A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak çalışır. 10mΩ maksimum kanal direnci (RdsOn) ve 270W güç dağıtma kapasitesi ile verimli işletme sağlar. TO-220-3 paketine sahip olup through-hole montajı destekler. -55°C ile 175°C arasında çalışan sıcaklık aralığında endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Ürün halen üretilmemekte olup arşiv ürünler arasındadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3750 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok