Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUFA75429D3ST

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
HUFA75429D3

HUFA75429D3ST Hakkında

HUFA75429D3ST, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (25mOhm @ 20A, 10V) ile verimli enerji aktarımı sağlar. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve anahtarlı güç sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 125W güç harcanabilir. 10V gate drive voltajında optimal performans gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1090 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok