Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUFA75337S3ST

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
HUFA75337S3ST

HUFA75337S3ST Hakkında

HUFA75337S3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilim ve 75A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 14mΩ on-resistance değeri ile güç kaybını minimumda tutarak anahtarlama devrelerinde, DC/DC dönüştürücülerde, motor kontrol sistemlerinde ve güç dağıtım uygulamalarında tercih edilir. TO-263 (D²Pak) paket tipi ile yüzey montajına uygun olup, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. 175W maksimum güç tüketimi ve 109nC gate charge değerleri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 109 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1775 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 175W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package D2PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok