Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUFA75333G3

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
HUFA75333G3

HUFA75333G3 Hakkında

HUFA75333G3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET'i olup 55V drain-source gerilimi ve 66A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, güç dönüştürme, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10V gate sürücü geriliminde 16mΩ maksimum on-direnci ve 85nC maksimum gate yükü ile düşük kayıplı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 175°C arası geniş çalışma sıcaklığı aralığında 150W güç dağıtım kapasitesiyle endüstriyel ve ticari elektrik sistemi tasarımlarında tercih edilen bir bileşendir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 66A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 66A, 10V
Supplier Device Package TO-247
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok