Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUFA75332S3ST

MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
HUFA75332S3

HUFA75332S3ST Hakkında

HUFA75332S3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET'tir. 55V drain-source gerilim ve 60A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle, güç elektroniği uygulamalarında kullanılan yüksek akım anahtarlama uygulamalarına uygundur. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, 19mΩ maksimum on-state direnci ile verimli enerji iletimini sağlar. Gate charge 85nC ve Vth 4V @ 250µA ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 145W güç atımı kapasitesiyle motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Bileşen Obsolete konumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 145W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 60A, 10V
Supplier Device Package D2PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok