Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUFA75332S3S

MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
HUFA75332S3S

HUFA75332S3S Hakkında

HUFA75332S3S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 60A sürekli drain akımı kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. 10V gate drive voltajında 19mOhm on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, PWM kontrolörler, DC-DC konvertörler, motor sürücüler ve güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilmektedir. 145W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarına uygundur. Bileşen artık üretim dışıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 145W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 60A, 10V
Supplier Device Package D2PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok