Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUFA75329S3ST

MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
HUFA75329S3

HUFA75329S3ST Hakkında

HUFA75329S3ST, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 49A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 24mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük ısı kaybı sağlar. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uygun, 10V gate sürüş geriliminde çalışır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında enerji yönetimi, motor kontrol ve güç dönüştürme devrelerinde yer alabilir. 128W maksimum güç dağılımı ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 49A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1060 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 49A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok