Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUFA75329S3ST

MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
HUFA75329S3

HUFA75329S3ST Hakkında

HUFA75329S3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET'tir. 55V drain-source voltajında 49A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu transistör, güç anahtarlaması uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketine sahip olup, 128W maksimum güç tüketebilir. 24mOhm Rds(On) değeri ile düşük kanal direnci sunmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Vgs(th) 4V olup, 10V gate sürüş voltajında tam kapasite ile çalışmaktadır. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 49A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1060 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 49A, 10V
Supplier Device Package D2PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok