Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUFA75329G3
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUFA75329
HUFA75329G3 Hakkında
HUFA75329G3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 55V drain-source gerilimi ve 49A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, 24mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direncine sahiptir. -55°C ile 175°C arası geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 10V gate drive voltajında optimize edilmiş tasarımı sayesinde, anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, güç kaynakları ve invertör tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. 128W maksimum güç dağılımı kapasitesi, endüstriyel ve tüketici uygulamaları için uygun performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 49A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1060 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 128W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 49A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok