Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUFA75329D3
MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUFA75329D3
HUFA75329D3 Hakkında
HUFA75329D3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-251 (IPAK) paketinde monte edilen bu bileşen, 26mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaçak güç tüketimi sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Motor kontrol, güç kaynakları, LED sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 10V gate sürme geriliminde optimal performans gösterir. Maksimum 128W güç dağılımı kapasitesine sahiptir. MOSFET teknolojisine dayanan bu bileşen, hızlı anahtarlama ve verimli güç yönetimi gerektiren endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yer almaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1060 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 128W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok