Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUFA75321S3ST

MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
HUFA75321S3

HUFA75321S3ST Hakkında

HUFA75321S3ST, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source geriliminde 35A sürekli akım yeteneğine sahip bu bileşen, TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 10V gate sürüş geriliminde 34mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 44nC gate yükü ve 680pF giriş kapasitansı hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu MOSFET, güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. Maksimum 93W güç saçma kapasitesi ile tasarlanmıştır. Not: Bu bileşen obsolete (üretim durdurulmuş) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 93W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 35A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok