Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUFA75321S3ST

MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
HUFA75321S3

HUFA75321S3ST Hakkında

HUFA75321S3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source gerilimi ve 35A sürekli dren akımı ile çalışır. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulur. 10V gate sürücü gerilimi ile 34mOhm maksimum on-direnci sağlar. 44nC gate charge ve 680pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC konvertörler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. Maksimum 93W güç tüketimi ile tasarlanmıştır. Bileşen halen üretimden kaldırılmış (Obsolete) durumda olup, stok uygunluğu sağlayanlardan kontrol edilmelidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 93W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 35A, 10V
Supplier Device Package D2PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok