Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUFA75309T3ST
MOSFET N-CH 55V 3A SOT223-4
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUFA75309
HUFA75309T3ST Hakkında
HUFA75309T3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 3A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 70mΩ maksimum on-direnci (10V gate geriliminde) ile verimli anahtarlama sağlar. SOT223-4 yüzey montaj paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uygun hale getirilmiştir. ±20V gate gerilim aralığında çalışır ve -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında operasyon yapabilir. Motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücü ve switch-mode güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Ürün yaşlandırılmış (obsolete) durumda olup, yeni tasarımlarda alternatif seçilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 352 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok