Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUFA75309P3
MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUFA75309P3
HUFA75309P3 Hakkında
HUFA75309P3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source geriliminde 19A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 70mOhm maksimum RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında düşük kayıplar sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve doğrultmaç uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Maksimum 55W güç harcayabilir. Gate charge değeri 24nC, input kapasitansi ise 350pF'dir. ±20V gate-source gerilimi desteği ile geniş uygulama alanına sahiptir. Bileşen kullanım dışı (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 55W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 19A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok