Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUFA75309D3S

MOSFET N-CH 55V 19A TO252AA

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
HUFA75309D3S

HUFA75309D3S Hakkında

HUFA75309D3S, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 19A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, düşük 70mOhm RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, DC-DC konvertörler ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 55W güç tüketebilir. 10V gate sürücü gerilimi ile standart lojik devrelerle uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 19A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok