Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUFA75309D3S
MOSFET N-CH 55V 19A TO252AA
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUFA75309D3S
HUFA75309D3S Hakkında
HUFA75309D3S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V Drain-Source gerilimi ve 19A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. TO-252 (D-Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 70mOhm (10V, 19A) maksimum RDS(on) değerine ve 4V eşik gerilimi özelliklerine sahiptir. 350pF input kapasitansı ve 24nC gate charge karakteristiğine sahip olan HUFA75309D3S, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Maksimum 55W güç tüketimi kapasitesi ile -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Surface mount teknolojisi ile PCB entegrasyonu kolaydır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 55W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 19A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok