Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUFA75307T3ST
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUFA75307
HUFA75307T3ST Hakkında
HUFA75307T3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel power MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 2.6A sürekli dren akımı ile çalışan bu transistör, 90mΩ maksimum on-state direnci ve 10V gate drive voltajında kullanılır. TO-261-4 (SOT-223-4) yüzey montajlı pakette sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. 1.1W maksimum güç tüketimi ve 17nC gate charge özellikleri ile anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü tasarımlarında kullanım için uygun bir transistördür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 2.6A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok