Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF76645S3ST
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF76645S3
HUF76645S3ST Hakkında
HUF76645S3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 100V drain-source gerilimi ve 75A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 14mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 310W güç dağılımı kapasitesine sahip TO-263 paketinde sunulan bu transistör, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, enerji yönetim sistemleri ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ile çeşitli ortamlarda kullanım için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 153 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 310W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok