Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF76645S3S

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
HUF76645

HUF76645S3S Hakkında

HUF76645S3S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) komponenttir. 100V drain-source gerilim, 75A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 14mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount D2PAK (TO-263) paketinde sunulmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü devrelerde kullanılır. 310W maksimum güç dissipasyonu ile yüksek güç uygulamalarında tercih edilir. Kompakt paket boyutu ve yüksek akım kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak kullanılmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4400 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package D2PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok