Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF76639S3ST-F085

MOSFET N CH 100V 51A TO-263AB

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
HUF76639S3ST

HUF76639S3ST-F085 Hakkında

HUF76639S3ST-F085, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ve 51A sürekli drenaj akımı özelliğine sahip bu bileşen, TO-263AB (D²Pak) paketinde sunulmaktadır. 26mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. 86nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Güç denetimi, motor kontrolü, DC-DC konvertörler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 180W güç yayılımı kapasitesine sahiptir. 10V drive voltajında optimize edilmiş performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 51A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 51A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok