Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF76639S3ST-F085
HUF76639 - N-CHANNEL LOGIC LEVEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF76639
HUF76639S3ST-F085 Hakkında
HUF76639S3ST-F085, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel logic level MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 51A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılan bir yarı iletken elementidir. 10V gate sürüş geriliminde 26mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. D²Pak (TO-263) yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç yönetimi ve DC-DC konvertörlerde uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen ve 180W güç tüketimi kapasitesine sahip bu bileşen, endüstriyel ve ticari uygulamalarda tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 51A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 180W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 51A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok