Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF76639S3S

MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
HUF76639

HUF76639S3S Hakkında

HUF76639S3S, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ve 51A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. D²Pak (TO-263) yüzey montajlı paketinde sunulur. 26mΩ maksimum RDS(on) direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 180W güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. 86nC gate charge ve 2400pF giriş kapasitansı özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. Ürün durumu: Discontinued (Üretimi durdurulmuş).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 51A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 51A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok