Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF76629D3STR4885
N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF76629D3
HUF76629D3STR4885 Hakkında
HUF76629D3STR4885, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Logic Level MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 100V drain-source gerilimi ve 20A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 4.5V logic level sürme gerilimi ile düşük seviye sinyal uygulamalarında doğrudan kullanılabilir. 52mOhm maksimum on-direnci (Rds On) ile minimal güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına dayanır. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve DC-DC konvertörlerde kullanım için uygun bir MOSFET çözümüdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1285 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok