Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUF76629D3ST_NL
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUF76629D3
HUF76629D3ST_NL Hakkında
HUF76629D3ST_NL, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 100V Drain-Source gerilimi ve 20A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-252 (D-Pak) paketinde sunulan transistör, 52mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygun olup, 150W güç dağıtımı kapasitesi ile motor kontrolü, anahtarlama kaynakları ve DC-DC konvertörlerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1285 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok