Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUF76629D3ST

MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
HUF76629D3

HUF76629D3ST Hakkında

HUF76629D3ST, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi, motor kontrolü, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) surface mount paketinde sunulan bileşen, 52mΩ maksimum RdsOn değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 3V kapı eşik gerilimi ve 46nC kapı yükü özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. -55°C ile +175°C arasında çalışan bu transistör, 110W güç dağıtma kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1285 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok